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IDT推出為6G SAS/SATA優(yōu)化的業(yè)界首款高性能中繼器/安森美半導體推出符合汽車標準的自保護低端MOSFET驅(qū)動IC
作 者: 作者單位: 刊 名: 電子與電腦 英文刊名: COMPOTECH CHINA 年,卷(期): 2010 ""(1) 分類號: 關鍵詞:【IDT推出為6G SAS/SATA優(yōu)化的業(yè)界首款高性能中繼器/安森美半導】相關文章:
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