KZnF3:Mn2+晶體光譜和EPR譜熱移動的研究

1引言 對摻雜晶體,由于雜質(zhì)離子的大小及其所帶電荷與它所替代的基質(zhì)晶體離子不同,這些雜質(zhì)離子附近的局部結(jié)構(gòu)和局部性質(zhì)(如局部熱膨脹系數(shù)和局部壓縮率)就會與基質(zhì)晶體的數(shù)據(jù)不一樣[1～3].研究這些雜質(zhì)中心的局部結(jié)構(gòu)(或稱缺陷結(jié)構(gòu))和局部性質(zhì)對認(rèn)識雜質(zhì)與基質(zhì)晶體的相互作用,進(jìn)而認(rèn)識材料摻雜改性的微觀機(jī)制是有意義的.

作 者： 范應(yīng)娟 鄭文琛 吳曉軒 唐晟   作者單位： 四川大學(xué)材料科學(xué)系,成都,610064  刊 名： 四川大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF SICHUAN UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE EDITION)  年，卷(期)： 2004 41(5)  分類號： O7  關(guān)鍵詞：  

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