V2O5復(fù)合薄膜材料的電子結(jié)構(gòu)研究

采用自洽場離散變分Xα方法對純V2O5及V2O5復(fù)合薄膜不同狀態(tài)的O1s及V2p軌道電子結(jié)合能和鍵強(qiáng)度等進(jìn)行了研究. 結(jié)果表明, V2O5結(jié)構(gòu)中存在4種狀態(tài)的氧和3種狀態(tài)的釩, 聚合物(PEO)或聚合物(PEO)-Li+嵌入V2O5結(jié)構(gòu)主要存在于層間的位置, 與雙鍵氧產(chǎn)生弱的鍵合作用, 導(dǎo)致雙鍵氧與五價釩的含量降低, 三鍵氧與三價、四價釩的含量增加;純V2O5層間嵌入的Li+與周圍氧的共價鍵與靜電力都非常明顯, V2O5層間引入PEO后再嵌入Li+, Li+與周圍氧的共價鍵與靜電力都變的非常微弱, 說明PEO嵌入V2O5層間使Li+具有很好的注入/脫出可逆性.

作 者： 周靜 陳文 徐慶 閔新民   作者單位： 周靜(武漢理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,武漢,430070)

陳文,徐慶(武漢理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,武漢,430070;武漢理工大學(xué)材料復(fù)合新技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,武漢,430070)

閔新民(武漢理工大學(xué)材料復(fù)合新技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,武漢,430070) 

刊 名： 硅酸鹽學(xué)報  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY  年，卷(期)： 2002 30(2)  分類號： O641  關(guān)鍵詞： 五氧化二釩   復(fù)合薄膜   結(jié)合能   鍵強(qiáng)度   電子結(jié)構(gòu)  

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