用變角XPS定量分析研究GaAs光電陰極激活工藝

用變角X射線光電子能譜(XPS)技術(shù)分析了GaAs光電陰極的激活工藝,定量計算了陰極表面激活層和界面氧化層的厚度和組成.界面氧化物是由于O原子穿過激活層,擴散到GaAs與(Cs,O)激活層的界而上而形成的.導(dǎo)入過量O會增加O-GaAs界面層的厚度,而對(Cs,O)激活層厚度影響較小.在激活過程中,嚴格控制和減少每次導(dǎo)入的O量是減少界面氧化層厚度,提高靈敏度的重要途徑.在第一步激活后的陰極樣品,通過較低溫度的加熱和再激活,能獲得比第一步高出30%的光電靈敏度的原因是較低溫度加熱減少了界而氧化層的厚度和界面勢壘.

作 者： 汪貴華 楊偉毅 宗志園   作者單位： 南京理工大學(xué)電子工程與光電技術(shù)學(xué)院,南京,210094  刊 名： 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(6)  分類號： O485 O655.9  關(guān)鍵詞： 砷化鎵   光電陰極   激活   變角X射線光電子能譜  

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