高能質(zhì)子單粒子翻轉(zhuǎn)效應的模擬計算

在分析質(zhì)子與硅反應的基礎上,提出質(zhì)子單粒子翻轉(zhuǎn)截面理論計算模型,建立了模擬計算方法.計算得到了不同能量的高能質(zhì)子在存儲單元的靈敏區(qū)內(nèi)沉積的能量.指出高能質(zhì)子主要通過與硅反應產(chǎn)生的重離子在存儲單元靈敏區(qū)內(nèi)沉積能量,產(chǎn)生電荷,導致單粒子效應,得到了單粒子翻轉(zhuǎn)截面與質(zhì)子能量以及隨臨界電荷變化的關(guān)系.并將計算得到的單粒子翻轉(zhuǎn)截面與實驗數(shù)據(jù)進行了比較.

作 者： 賀朝會 陳曉華 李國政   作者單位： 西北核技術(shù)研究所,陜西,西安,710024  刊 名： 計算物理  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS  年，卷(期)： 2002 19(4)  分類號： O571.42 O242.1  關(guān)鍵詞： 質(zhì)子   單粒子翻轉(zhuǎn)   Monte Carlo模擬  

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