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PLT/PbO鐵電薄膜的制備及性能研究
采用射頻磁控濺射技術(shù),在室溫濺射、后續(xù)退火條件下,以PbO為過(guò)渡層,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)襯底上制備出具有完全鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)鐵電薄膜;比較了在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)襯底上有無(wú)PbO過(guò)渡層的PLT薄膜的微結(jié)構(gòu)和鐵電性能.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)襯底上增加PbO過(guò)渡層提高了PLT薄膜的相純度,并且所制備的PLT/PbO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)薄膜具有優(yōu)良的介電和鐵電性能,其剩余極化強(qiáng)度Pr為21.76 μC/cm2,室溫?zé)後岆娤禂?shù)p為2.75×10-8 C/cm2·K.
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