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低溫等離子體數(shù)值模擬方法的分析比較
分析比較了低溫等離子體模擬中采用的流體模型、粒子模型和混合模擬方法及在放電特性分析中采用的電路模擬方法.給出了每種方法的基本原理,探討了它們的適應(yīng)性.利用粒子模型對(duì)外磁鏡場(chǎng)作用下四陽(yáng)極裝置輝光放電所產(chǎn)生等離子體進(jìn)行了模擬,分析了磁場(chǎng)對(duì)電子密度徑向分布的影響.
作 者： 袁忠才 時(shí)家明 黃勇 馬柳 YUAN Zhong-cai SHI Jia-ming HUANG Yong MA Liu 作者單位： 電子工程學(xué)院安徽省紅外與低溫等離子體重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,合肥,230037 刊 名： 核聚變與等離子體物理 ISTIC PKU 英文刊名： NUCLEAR FUSION AND PLASMA PHYSICS 年，卷(期)： 2008 28(3) 分類(lèi)號(hào)： O539 關(guān)鍵詞： PIC 流體模型 混合模型 低溫等離子體【低溫等離子體數(shù)值模擬方法的分析比較】相關(guān)文章：
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