Cd脅迫下黃菖蒲幼苗根系生長與Cd積累的研究

摘要： 采用水培法研究了Cd脅迫對黃菖蒲(Iris pseudacorus L.)幼苗根系生長和Cd含量的影響,用透射電鏡觀察了Cd脅迫對根尖細胞亞顯微結(jié)構(gòu)的影響并確定了Cd沉積部位.結(jié)果表明,10 mg·L-1 Cd處理對黃菖蒲幼苗根系的生長有一定促進作用,根毛數(shù)量及不定根上側(cè)根的數(shù)量、密度和長度均高于對照;Cd濃度高于25 mg·L-1時,根系的生長發(fā)育受到抑制,上述指標(biāo)均顯著低于對照.用10～40 mg·L-1 Cd處理后,黃菖蒲幼苗不定根上側(cè)根中的Cd含量均顯著高于未長側(cè)根的不定根和去掉側(cè)根的不定根(P<0.05),說明不定根上的側(cè)根對Cd沉積有重要作用.100 mg·L-1 Cd處理能導(dǎo)致根尖細胞質(zhì)濃縮、質(zhì)壁分離和液泡變大,且大量Cd顆粒沉積在細胞壁上和細胞間隙中,表明細胞壁和細胞間隙對Cd的沉積作用可能足黃菖蒲幼苗耐Cd脅迫的重要機理之一. 作 者： 仇碩    黃蘇珍    QIU Shuo    HUANG Su-zhen   作者單位： 江蘇省·中國科學(xué)院植物研究所(南京中山植物園),江蘇,南京,210014  期 刊： 植物資源與環(huán)境學(xué)報  ISTIC   Journal： JOURNAL OF PLANT RESOURCES AND ENVIRONMENT  年，卷(期)： 2008, 17(3)  分類號： X173 S564+.3 Q945.78  關(guān)鍵詞： 黃菖蒲    Cd脅迫    Cd沉積    根系    超微結(jié)構(gòu)   

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