金屬環(huán)境中低能D(d, p)T反應的研究

近年來一系列實驗表明,金屬環(huán)境中的低能帶電粒子引起的核反應截面與氣體靶中的相比出現(xiàn)明顯增大,這種現(xiàn)象通常被歸結為電子屏蔽效應. 全面介紹了金屬環(huán)境中D(d, p)T反應電子屏蔽效應的測量方法、數(shù)據(jù)分析和實驗結果的規(guī)律性,并簡要論述了包括德拜等離子體模型在內的各種理論模型對實驗結果的解釋. 通過研究,可以獲得有關核物理、核天體物理和凝聚態(tài)物理的寶貴知識.

作 者： 呂會議 王鐵山 陳建勇 楊振 劉盛進 方開洪 Lü Hui-yi WANG Tie-shan CHEN Jian-yong YANG Zhen LIU Sheng-jin FANG Kai-hong   作者單位： 蘭州大學核科學與技術學院,甘肅,蘭州,730000  刊 名： 原子核物理評論  ISTIC PKU 英文刊名： NUCLEAR PHYSICS REVIEW  年，卷(期)： 2008 25(3)  分類號： O571.4  關鍵詞： 低能核反應   電子屏蔽效應   德拜模型  

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