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電化學(xué)方法制備Si陣列微孔的工藝研究
對(duì)用電化學(xué)方法制備Si大孔陣列管坑工藝進(jìn)行了初步探索. 通過對(duì)Si在KOH溶液中各向異性濕法蝕刻和在HF酸溶液中的電化學(xué)蝕刻過程中各種參數(shù)的摸索,確定在室溫下制備大孔陣列的最佳配比濃度,蝕刻出符合要求的管坑陣列,為進(jìn)一步制備結(jié)構(gòu)化閃爍屏奠定了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ).
作 者: 薛智浩 孫友梅 常海龍 劉杰 侯明東 姚會(huì)軍 莫丹 陳艷峰 XUE Zhi-hao SUN You-mei CHANG Hai-long LIU Jie HOU Ming-dong YAO Hui-jun MO Dan CHENYan-feng 作者單位: 薛智浩,姚會(huì)軍,莫丹,陳艷峰,XUE Zhi-hao,YAO Hui-jun,MO Dan,CHENYan-feng(中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所,甘肅,蘭州,730000;中國(guó)科學(xué)院研究生院,北京,100049)孫友梅,常海龍,劉杰,侯明東,SUN You-mei,CHANG Hai-long,LIU Jie,HOU Ming-dong(中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所,甘肅,蘭州,730000)
刊 名: 原子核物理評(píng)論 ISTIC PKU 英文刊名: NUCLEAR PHYSICS REVIEW 年,卷(期): 2008 25(3) 分類號(hào): O646 關(guān)鍵詞: 各向異性蝕刻 微孔陣列 電化學(xué)蝕刻【電化學(xué)方法制備Si陣列微孔的工藝研究】相關(guān)文章:
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