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Sol-Gel法制備ZnO:Cd薄膜及結(jié)構(gòu)特性研究
采用Sol-Gel法,結(jié)合旋轉(zhuǎn)涂覆技術(shù)在Si(100)襯底上制備了ZnO:Cd薄膜,并對其在600～800 ℃熱處理.X-射線衍射儀(XRD)結(jié)果表明,ZnO:Cd薄膜具有與ZnO同樣的六角纖鋅礦結(jié)構(gòu),且隨著熱處理溫度的升高,(002)衍射峰的強度逐漸增強.峰半高寬(FWHM,ZnO(002))不斷減小,并沿c軸擇優(yōu)取向生長;Cd摻雜后,未出現(xiàn)CdO或其他鎘化物等雜質(zhì)相,但在(002)峰-峰頂出現(xiàn)了分叉(多峰)現(xiàn)象.隨著退火溫度的升高,多峰消失,但這方面的報道甚少.掃描式電子顯微鏡(SEM)顯示ZnO:Cd晶粒粒徑分布情況及表面形貌特征.以石英為基片的透射光譜實驗計算表明,ZnO:Cd薄膜的禁帶寬度平均為3.10 eV;800 ℃,x(Cd)=8%樣品的禁帶寬度為2.80 eV,比純ZnO晶體禁帶寬度(3.30 eV)明顯減小,這說明適度摻鎘可降低薄膜的光學禁帶寬度.
鄧宏,DENG Hong(電子科技大學,微電子與固體電子學院,四川,成都,610054)
刊 名： 壓電與聲光 ISTIC PKU 英文刊名： PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS 年，卷(期)： 2007 29(6) 分類號： O782 關(guān)鍵詞： Sol-Gel法 光學禁帶 透射光譜 ZnO:Cd薄膜【Sol-Gel法制備ZnO:Cd薄膜及結(jié)構(gòu)特性研究】相關(guān)文章：
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